TOKYO (Antara/BUSINESS WIRE) -- Toshiba Memory Corporation, pemimpin di industri memory dunia, hari ini meluncurkan BG3, lini produk client SSD berkemasan tunggal NVM ExpressTM (NVMeTM) yang mengintegrasikan BiCS FLASHTM Toshiba mutakhir yang berlapis 64 dan 3-bit-per-cell (TLC) dan pengendali di dalam kemasan ball grid array (BGA). Sampel produk akan dikirimkan ke para konsumen OEM PC hari ini dalam jumlah terbatas, dan Toshiba Memory Corporation akan meningkatkan volume pengiriman secara bertahap mulai dari kuartal empat tahun ini.

 

Untuk melihat siaran pers multimedia, silakan klik:  http://www.businesswire.com/news/home/20170802006627/en/

 

BG3 seri SSD ini dilengkapi dengan arsitektur PCI EXPRESS® (PCIe®) Gen3 x 2lanes and NVMeTM Revision 1.2.1. Selain itu, alat ini juga dilengkapi dengan Host Memory Buffer (HMB)[1], yang menggunakan host memory sebagai pengganti DRAM, sehingga menghemat daya dan ruang, dan membantu pengembang dalam memproduksi perangkat yang harus seimbang antara performa yang tinggi dan juga konsumsi daya yang rendah. Selaian itu, manfaat gabungan dari fitur SLC cache, manajemen flash yang lebih baik, dan performa flash memory meningkatkan performa read sekuensial hingga 1520MB/detik dan write sekuensial hingga 840MB/detik[2]/

 

BG3 series akan tersedia dalam tiga kapasitas; 128GB, 256GB, dan 512GB[3]. Tiap kapasitas sesuai dengan form factor SSD kelas terkecil di industri[4], kemasan tunggal M.2 1620[5] surface-mount 16mmx20mmx1.5mm, dan modul M.2 2230 yang dapat dilepas[6]. BG3 series memiliki dimensi yang lebih ringkas dibandingkan seri-seri terdahulu, dengan model kemasan 128GB, 256GB, dan 512GB yang sesuai dengan 1.5mm dari M.2 1620-S3. Hal ini akan membantu meningkatkan pengembangan desain-desain baru untuk perangkat seluler dan tertanam, seperti PC mobile dan tablet. Selain itu, mengingat ukuran yang ringkas dan konsumsi daya yang rendah, BG3 SSD juga dapat diaplikasikan dengan penyimpanan server-boot yang hemat daya dan ruang pada data center.

 

Untuk segi keamanan, perangkat ini dilengkapi dengan self-encrypting drive (SED) yang kompatibel dengan TCG Opal Version 2.01[7].

 

BG3 series akan dipamerkan di ajang Flash Memory Summit 2017 di Santa Clara, California, AS, pada tanggal 8-10 Agustus 2017 di stand #407.

 

*PCI EXPRESS dan PCIe adalah merek dagang terdaftar dari PCI-SIG

*NVMe dan NVM Express adalah merek dagang NVM Express, Inc.

*Semua nama perusahaan, produk, dan layanan yang disebut di dalam siaran pers ini adalah merek dagang masing-masing perusahaan

 

Catatan

[1] Fungsi menggunakan host DRAM untuk tujuan manajemen flash

[2] Survey Toshiba Memory Corporation didasarkan pada kemampuan membaca dan menulis sekuensial berkecepatan 128KiB unit, yang menggunakan model 512GB pada BG3 series dibawah kondisi ujicoba Toshiba Memory Corporation. Kecepatan baca dan tulis dapat beragam, tergantung dari perangkat inang, kondisi baca dan tulis, dan ukuran file. Toshiba Memory Corporation mendefinisikan megabyte (MB) sebagai 1.000.000 byte dan kibibyte (KiB) sebagai 210 byte, atau 1.024 byte. Performa baca dan tulis sekuensial yang disebutkan diatas adalah data acuan, dan dapat beragam dengan data produk BG3 di lembaran data.

[3] Definisi kapasitas: Toshiba mendefinisikan satu megabyte (MB) sebagai 1.000.000.000.000 byte. Meskipun demikian, sistem operasi komputer menunjukan kapasitas penyimpanan yang menggunakan daya dua untuk mendefinisikan 1GB = 230 = 1,073,741,824 byte dan oleh karena itu, menunjukan kapasitas penyimpanan yang lebih kecil. Kapasitas penyimpanan yang tersedia (termasuk contoh dari berbagai berkas media) akan beragam berdasarkan ukuran berkas, format, setelan, perangkat lunak, dan sistem operasi, seperti Microsoft Operating System dan/atau aplikasi perangkat lunak pra-instalasi, atau konten media. Kapasitas terformat yang aktual dapat berbeda-beda.

[4] Survey Toshiba Memory Corporation, per 3 Agustus 2017

[5] Form factor untuk model 128GB dan 256Gb adalah M.2 1620-S2, dan form factor untuk model 512GB adalah M.2 1620-S3

[6] Form factor untuk model 128Gb dan 256GB adalah M.2 2230-S2 dan form factor untuk model 512GB adalah M.2 2230-S3

[7] Ketersediaan lini model SED dapat berbeda-beda di masing-masing negara/wilayah

 

Dukungan pelanggan

 

Storage Products Division

Tel: +81-3-3457-2445

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

 

Segala informasi yang terkandung di dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan, dan informasi kontak, berlaku pada tanggal siaran pers ini diumumkan tapi tunduk kepada berbagai perubahan tanpa adanya pemberitahuan terlebih dahulu.

 

Baca versi aslinya di businesswire.com:  http://www.businesswire.com/news/home/20170802006627/en/

 

Kontak

Media Inquiries:

Toshiba Memory Corporation

Sales Strategic Planning Division

Koji Takahata, +81-3-3457-3822

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

 

Sumber: Toshiba Memory Corporation

 

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Pewarta: PR Wire
Editor: PR Wire
Copyright © ANTARA 2017