TOKYO--(Antara/BUSINESS WIRE)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) memperluas portofolio diodanya dengan penambahan enam Schottky barrier diodes (SBDs) yang dirancang menggunakan silicon carbide (SiC) dan dipasang di dalam kemasan surface-mount. Produk ini akan mulai dikirimkan hari ini.
Lihat rilis pers multimedia selengkapnya di sini: http://www.businesswire.com/news/home/20171016006343/en/
Hingga saat ini, TDSC telah berfokus pada SiC SBC dalam kemasan through-hole. Penambahan SiC SBD pertama yang dipasang di dalam kemasan surface-mount (alias DPAK) memenuhi kebutuhan pengguna akan SiC SBD yang lebih ringkas dan tipis.
SiC SBD mengintegrasikan chip Toshiba generasi kedua, yang memberikan arus maju maksimal (IFSM) dan figure of merit (VF•Qc*1). Perangkat ini memiliki daya tahan lebih tinggi dan loss lebih rendah, yang membantu meningkatkan efisiensi sistem dan menyederhanakan desain termal.
TDSC akan terus memperluas lini produk untuk terus membantu meningkatkan efisiensi dan memangkas ukuran peralatan komunikasi, server, inverter, dan produk-produk lainnya.
Fitur-fitur:
* Arus maju maksimal: Sekitar 7 hingga 9,5 kali nilai arus, IF(DC).
* Figure of merit (VF•Qc) yang rendah: Sekitar 1/3 lebih rendah dibandingkan produk-produk generasi pertama, mengindikasikan efisiensi tinggi
* Kemasan surface-mount: Memungkinkan auto mounter dan membantu memangkas ukuran sistem dan ketebalan
Penggunaan
SiC SBD terbaru ini cocok untuk berbagai macam kebutuhan komersial dan industri, seperti sirkuit PFC pada catu daya berefisiensi tinggi
* Produk konsumen dan OA: catu daya untuk layar besar TV 4K LCD & OLED, proyektor, mesin fotocopy multifungsi, dll
* Peralatan industri: catu daya untuk menara telekomunikasi, server PC, mikroinverter surya, dll
* Untuk sirkuit: Sirkuit power factor correction (PFC); sirkuit inverter mikro; sirkuit chopper (berbagai catu daya berkapasitas ratusan watt atau lebih)
* Dioda bebas roda untuk mengendalikan perangkat
|
Spesifikasi Utama |
||||||||||||||||||
|
Paket |
|
|
|
Rating Maksimal Absolut |
|
Karakteristik Kelistrikan |
||||||||||||
|
Forward DC current |
|
Peak Forward Surge Current non-repetitif |
|
Disipasi Daya Total |
|
Suhu junction |
Voltase Forward |
|
Figure of merit |
|
Kapasitansi junction |
|
Muatan Kapasitif Total |
|||||
|
Simbol |
IF(DC) |
IFSM |
Ptot |
Tj |
VF |
VF•Qc |
Cj |
QC |
||||||||||
|
Unit |
(A) |
(A) |
(W) |
(℃)
|
(V) |
(V•nC) |
(pF) |
(nC) |
||||||||||
|
Nilai |
Max. |
Max. |
Max. |
Max. |
ï¼ |
Typ. |
Typ. |
Typ. |
||||||||||
|
Produk/ Kondisi |
ï¼ |
@ Half-sine Wave t=10ms |
Tc=25℃ |
ï¼ |
@ IF(DC) |
ï¼ |
@ VR= 1V |
@VR= 400V |
||||||||||
|
Tipe surface-mount DPAK / Setara dengan TO-252 |
TRS2P65F |
2 |
19 |
34,0 |
175 |
1,45 (Typ.) 1,60 (Max.) |
8,4 |
85 |
5,8 |
|||||||||
|
TRS3P65F |
3 |
26 |
37,5 |
11,7 |
120 |
8,1 |
||||||||||||
|
TRS4P65F |
4 |
33 |
41,0 |
15,1 |
165 |
10,4 |
||||||||||||
|
TRS6P65F |
6 |
45 |
48,3 |
21,9 |
230 |
15,1 |
||||||||||||
|
TRS8P65F |
8 |
58 |
55,5 |
28,6 |
300 |
19,7 |
||||||||||||
|
|
TRS10P65F |
|
10 |
|
70 |
|
62,5 |
|
|
|
35,4 |
|
400 |
|
24,4 |
|||
Catatan:
[1] Qc : Jumlah muatan listrik kapasitansi Cj antara 0,1 V and 400 V.
Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi selengkapnya tentang jajaran Dioda Schottky Barrier SiC TDSC.
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/diode/sic.html
Layanan pelanggan:
Mixed Signal IC Sales and Marketing Department
Tel: +81-44-548-2821
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
*Segala informasi yang terkandung di dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan, dan informasi kontak, berlaku pada tanggal siaran pers ini diumumkan tapi tunduk kepada berbagai perubahan tanpa adanya pemberitahuan terlebih dahulu.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) menggabungkan semangat perusahaan baru dengan kebijakan pengalaman. Sejak memisahkan diri dari Toshiba Corporation pada Juli 2017, kami telah mapan di antara perusahaan perangkat umum terkemuka, serta memberi pelanggan dan mitra bisnis kami solusi luar biasa dalam semikonduktor yang berbeda, LSI sistem dan HDD.
Ke-19.000 karyawan kami di seluruh dunia bertekad memaksimalkan nilai produk kami, dan menekankan kerjasama erat dengan pelanggan untuk mempromosikan penciptaan bersama nilai dan pasar baru. Kami ingin mengandalkan penjualan tahunan yang kini melampaui 700 miliar yen (US$6 miliar) dan ikut menciptakan masa depan yang lebih baik bagi orang di manapun.
Untuk informasi selengkapnya tentang kami, klik https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
Lihat versi aslinya di businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20171016006343/en/
Kontak
Inkuiri Media:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.