Shanghai (ANTARA) - Tim peneliti China berhasil mengembangkan perangkat memori kilat (flash memory) revolusioner yang dapat menyimpan data dengan kecepatan satu bit per 400 pikodetik, sekaligus mencetak rekor baru sebagai perangkat penyimpanan semikonduktor tercepat yang pernah ada.
Diberi nama "PoX", memori nonvolatil ini bahkan mengungguli teknologi memori volatil tercepat, yang membutuhkan waktu sekitar 1 hingga 10 nanodetik untuk menyimpan satu bit data.
Pikodetik adalah seperseribu nanodetik atau sepersetriliun detik. Memori volatil seperti SRAM dan DRAM, yang kehilangan data saat kehilangan daya, tidak cocok untuk sistem berdaya rendah.
Sementara itu, memori nonvolatil seperti flash memory, meskipun hemat energi, tidak dapat memenuhi permintaan akses data berkecepatan tinggi dari kecerdasan buatan (Artificial Intelligence/AI).
Para peneliti di Universitas Fudan mengembangkan perangkat flash memory berstruktur Dirac graphene-channel dua dimensi menggunakan mekanisme inovatif, yang mendobrak batas kecepatan penyimpanan dan akses informasi nonvolatil.
Hasil penelitian ini dipublikasikan pada Rabu (16/4) di jurnal Nature.
"Menggunakan algoritma AI untuk mengoptimalkan kondisi pengujian proses, kami memajukan inovasi ini secara signifikan dan membuka jalan untuk penerapan di masa depan," kata Zhou Peng dari Universitas Fudan, yang juga peneliti utama dalam studi ini.
"Ini adalah karya orisinal dan kebaruannya cukup untuk merancang potensi flash memory berkecepatan tinggi di masa depan," sebagaimana bunyi komentar pengulas sejawat (peer reviewer) jurnal tersebut.
Pewarta: Xinhua
Editor: Indra Arief Pribadi
Copyright © ANTARA 2025
