Toshiba Memory Corporation kembangkan QLC 3D flash memory pertama di dunia

Menjadi flash memory berkapasitas terbesar di dunia sebesar 1.5 TB berkemasan tunggal dengan chip BiCS FLASHâ„¢

TOKYO (Antara/BUSINESS WIRE) -- Toshiba Memory Corporation, produsen memory terkemuka dunia, hari ini mengumumkan pengembangan BiCS FLASHâ„¢ flash memory tiga dimensi (3D) pertama di dunia [1] dengan struktur stacked cell. Perangkat BiCS FLASHâ„¢ terbaru ini adalah teknologi pertama yang dilengkapi dengan teknologi 4-bit-per-cell (quadruple-level cell, QLC), lebih mutakhir dibandingkan dengan perangkat triple-level cell (TLC) dan merupakan terobosan terbaru di lanskap teknologi flash memory.

Untuk melihat siaran pers multimedia, silakan klik: http://www.businesswire.com/news/home/20170627006601/en/

Flash memory multi-bit cell menyimpan data dengan cara mengelola jumlah elektron pada masing-masing sel memory. Dengan hadirnya teknologi QLC memunculkan rangkaian tantangan teknis, seiring meningkatkan jumlah bit-per-cell oleh salah satu dalam elektron yang sama membutuhkan akurasi yang dua kali lipat lebih tinggi dibandingkan dengan teknologi TLC. Toshiba Memory memanfaatkan beragam kapabilitas desain dan teknolgi 3D flash memory berlapis 64-nya untuk menciptakan QLC 3D flash memory.

Prototip ini dilengkapi dengan kapasitas terbesar di dunia [3] (768 gigabits/96 gigabytes) dengan proses 3D flash memory berlapis 64. Pengiriman prototip ini ke jaringan vendor SSD dan SSD controller untuk tahap evaluasi dan pengembangan akan dimulai pada awal Juni.

QLC 3D flash memory juga ideal untuk perangkat berkapasitas 1.5 TB dengan arsitektur 16-die stacked yang dikemas di dalam paket tunggal - kapasitas terbesar di industri[4]. Sampel perangkat inovatif ini akan dipamerkan di event 2017 Flash Memory Summit di Santa Clara, California, AS, pada 7-10 Agustus.

Toshiba Memory telah mulai memproduksi perangkat 64-layer 256 gigabit (32 gigabytes) secara massal, dan seiring peningkatan volume produksi, perusahaan ini siap untuk terus memperkuat posisi kepemimpinan industrinya dengan berinovasi dalam pengembangan teknologi. Berkomitmen untuk memenuhi tingginya permintaan akan solusi flash memory berukuran chip yang lebih kecil dan berdensitas tinggi, perangkat QLC ini ditujukkan untuk penggunaan seperti SSD berskala enterprise, SSD konsumen, dan kartu memory.

Catatan:

Sumber: Toshiba Memory Corporation, per tanggal 28 Juni 2017.
Struktur yang menyusun sel flash memory secar vertikal pada substrat silikon untuk meningkatkan densitas pada NAND flash memory planar, dimana se terbentuk di atas substrat silikon.
Sumber: Toshiba Memory Corporation, per tanggal 28 Juni 2017.
Sumber: Toshiba Memory Corporation, per tanggal 28 Juni 2017.

* Nama perusahaan, produk, dan layanan yang disebut di dalam siaran pers ini adalah merek dagang masing-masing pemiliknya.

Baca versi aslinya di businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170627006601/en/

Kontak

Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Memory Corporation

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.