Toshiba Rilis Power MOSFET dengan Dioda Kecepatan Tinggi untuk Tingkatkan Efisiensi Catu Daya

Kawasaki, Jepang--(ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah menambah DTMOSVI(HSD), power MOSFET dengan dioda kecepatan tinggi yang cocok untuk catu daya sakelar, termasuk pusat data dan pengondisi daya fotovoltaik, pada seri [1] DTMOSVI generasi terbaru dengan struktur sambungan super. Pengiriman kedua produk pertama "TK042N65Z5” dan “TK095N65Z5," 650V N-channel power MOSFETs pada paket TO-247 dimulai hari ini.

Produk baru tersebut menggunakan dioda kecepatan tinggi untuk meningkatkan karakteristik pemulihan balik [2] yang penting untuk aplikasi rangkaian jembatan dan rangkaian inverter. Dibandingkan DTMOSVI standar, produk baru ini dapat mengurangi waktu pemulihan balik (trr) sekitar 65% serta mengurangi charge pemulihan balik (Qrr) sekitar 88% (kondisi pengukuran: -dIDR/dt= 100A/μs).

Proses DTMOSVI(HSD) yang dipakai dalam produk baru ini meningkatkan karakteristik pemulihan balik pada seri DTMOSIV Toshiba dengan dioda kecepatan tinggi (DTMOSIV(HSD)), dan memiliki arus cut-off drain yang lebih rendah pada suhu tinggi. Figure of merit "drain-source On-resistance × gate-drain charges" juga lebih rendah. Temperatur tinggi arus cut-off drain pada TK042N65Z5 adalah sekitar 90%[3] lebih rendah, dan drain-source On-resistance × gate-drain sekitar 72% lebih rendah daripada daya TK62N60W5[4] [5] Toshiba. Kemajuan ini akan mengurangi hilangnya daya peralatan dan membantu meningkatkan efisiensi. TK042N65Z5 menunjukkan peningkatan maksimal dalam efisiensi catu daya dibandingkan arus TK62N60W5 sekitar 0.4%, sebagaimana yang diukur dalam rangkaian 1.5kW LLC[6].

Desain referensi, “1.6kW Server Power Supply (Upgraded)”, yang menggunakan TK095N65Z5 tersedia di situs web Toshiba hari ini. Perusahaan juga menawarkan alat-alat yang mendukung desain rangkaian untuk catu daya sakelar. Dengan model G0 SPICE, yang memverifikasi fungsi rangkaian dalam waktu singkat, model G2 SPICE yang sangat akurat, yang mereproduksi dengan akurat karakteristik transien kini tersedia.

Toshiba berencana untuk memperluas jajaran DTMOSVI(HSD) dengan meluncurkan perangkat pada paket through-hole TO-220 dan TO-220SIS, serta paket surface-mount TOLL dan DFN 8×8.

Perusahaan juga akan terus memperluas jajaran seri DTMOSVI setelah sebelumnya meluncurkan produk 650V dan 600V serta produk-produk baru dengan dioda kecepatan tinggi. Ini akan meningkatkan efisiensi catu daya sakelar, yang berkontribusi pada peralatan penghemat energi.

Catatan:

[1] Per 22 Februari 2024, survei Toshiba.

[2] Aksi pengalihan yang di dalamnya dioda bodi MOSFET beralih dari bias maju ke mundur.

[3] Nilai yang diukur oleh Toshiba. Satuan listrik produk baru TK042N65Z5 adalah 0.2mA (kondisi pengujian: VDS=650V, VGS=0V, Ta=150°C.)

Satuan listrik produk yang ada TK62N60W5 adalah 1.9mA (kondisi pengujian: VDS=600V, VGS=0V, Ta=150°C).

[4] Seri 600V DTMOSIV(HSD)

[5] Nilai yang diukur oleh Toshiba.

Kondisi pengujian:

TK62N60W5

• RDS(ON): ID=30.9A, VGS=10V, Ta=25°C

• Qgd: VDD=400V, VGS=10V, ID=61.8A, Ta=25°C

TK042N65Z5

• RDS(ON): ID=27.5A, VGS=10V, Ta=25°C

• Qgd: VDD=400V, VGS=10V, ID=55A, Ta=25°C

[6] Nilai yang diukur oleh Toshiba.

Kondisi pengujian: Vin=380V, Vout=54V, Ta＝25°C

Peralatan industri

    • Catu daya sakelar (peladen pusat data, perlengkapan komunikasi, dsb.)

    • Stasiun pengisian kendaraan listrik

    • Pengondisi daya untuk generator fotovoltaik

    • Uninterruptible power systems (UPS)

    • MOSFET dengan dioda kecepatan tinggi pada seri generasi terbaru DTMOSVI

    • Waktu pemulihan balik dengan adanya dioda kecepatan tinggi:

       TK042N65Z5 trr=160ns (typ.)

       TK095N65Z5 trr=115ns (typ.)

    • Waktu pengalihan berkecepatan tinggi dengan adanya gate-drain charge yang rendah:

       TK042N65Z5 Qgd=35nC (typ.)

       TK095N65Z5 Qgd=17nC (typ.)

Ikuti tautan berikut untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru ini.

TK042N65Z5

TK095N65Z5

Ikuti tautan berikut untuk informasi lebih lanjut tentang MOSFET Toshiba.

MOSFETs

* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin adalah merek dagang milik masing-masing perusahaan.

* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman, tetapi dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation merupakan penyedia terkemuka dalam solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, Toshiba menawarkan beragam produk semikonduktor diskret, sistem LSIs dan HDD.

21.500 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk serta mendorong kerja sama yang erat dengan pelanggan demi menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Dengan penjualan tahunan bernilai hamper 800 miliar yen (AS$6.1 miliar), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap dapat berkontribusi dan membangun masa depan yang lebih baik bagi semua orang di mana saja.

Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/53899054/en

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Power Device Sales & Marketing Dept.

Tel: +81-44-548-2216

Contact Us

Chiaki Nagasawa

Digital Marketing Dept.

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation