Kawasaki, Jepang--(ANTARA/Business Wire)- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation dan Toshiba Corporation (secara bersama-sama disebut "Toshiba") telah mengembangkan transistor efek medan semikonduktor oksida logam (MOSFET) SiC yang mengatur dioda penghalang Schottky (SBD) tertanam dalam check-pattern (SBD tertanam check-pattern) untuk menciptakan resistansi rendah dan keandalan tinggi. Toshiba menegaskan bahwa desain ini menjamin Reduction in on-resistance[1] (RonA) sekitar 20% terhadap SiC MOSFET saat ini tanpa mengurangi keandalan.[2]

Logo Toshiba

Perangkat listrik merupakan komponen penting untuk mengelola energi listrik dan mengurangi mati listrik di semua jenis peralatan elektronik serta untuk mencapai masyarakat netral karbon. SiC secara luas dianggap sebagai bahan generasi selanjutnya untuk perangkat karena menyediakan tegangan lebih tinggi dan mengurangi mati listrik dibanding silikon. Meskipun kini penggunaan SiC sebagian besar masih terbatas pada inverter untuk kereta api, tidak lama lagi akan kian banyak digunakan di berbagai bidang seperti penggunaan tenaga listrik pada kendaraan dan miniaturisasi peralatan industri. Namun masalah ini harus diatasi terlebih dahulu: konduksi bipolar pada dioda badan selama operasi terbalik SiC MOSFET bisa berbahaya karena menurunkan on-resistance.

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation mengembangkan struktur yang menyematkan SBD ke dalam MOSFET untuk menonaktifkan dioda badan, namun ternyata mengganti saluran MOSFET dengan SBD tertanam dapat mengurangi densitas saluran dan meningkatkan RonA. Sekarang pertukaran ini dapat diatasi dengan struktur SBD baru yang tertanam, dan Toshiba menegaskan bahwa cara ini dapat meningkatkan karakteristik kinerja secara dramatis.

Toshiba berhasil mengatasi kehilangan konduksi dalam SiC MOSFET SBD tertanam sekaligus mencapai konduktivitas dioda yang baik dengan menggunakan distribusi SBD check-pattern. Evaluasi terhadap karakteristik arus on-side pada MOSFET SBD tertanam kelas 1.2kV dengan desain optimal telah menegaskan bahwa menggunakan desain pemeriksaan untuk menempatkan SBD tertanam di dekat dioda badan dapat membatasi konduksi bipolar dioda parasit secara efektif, sedangkan batas arus konduksi terbalik unipolar adalah dua kali lipat yang diwujudkan oleh desain pola SBD striped saat ini untuk konsumsi area SBD yang sama. RonA menjadi lebih rendah sekitar 20% pada 2.7mΩ・cm2.

Peningkatan yang pasti dalam pertukaran ini penting artinya jika SiC MOSFET akan digunakan dalam inverter untuk aplikasi penggerak motor. Toshiba terus melakukan evaluasi untuk meningkatkan karakteristik dan keandalan dinamis, dan untuk mengembangkan semikonduktor listrik berkinerja tinggi yang menarik dan berkontribusi pada netralitas karbon.

Rincian pencapaian ini dilaporkan dalam International Electron Devices Meeting IEEE Tahunan ke-68, sebuah konferensi semikonduktor listrik internasional di San Francisco, AS, pada tanggal 3-7 Desember.

Catatan:
[1] On-resistance adalah nilai resistansi antara saluran dan sumber MOSFET selama operasi (ON).
[2] Sejak November 2022, riset Toshiba.

* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin merupakan merek dagang milik masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.

Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.
23.000 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Dengan penjualan tahunan saat ini mencapai lebih dari 850 miliar yen (AS$7,5 miliar), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.

Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/53035265/en

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Kontak
Pertanyaan Pelanggan:

Pertanyaan Media:
K.Tanaka, S.Mihashi
Grup Komunikasi Perusahaan & Intelijen Pasar
Divisi Perencanaan Strategis
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Tel: +81-44-548-2122

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Pewarta: PR Wire
Editor: PR Wire
Copyright © ANTARA 2022